Descripción
Número de Parte: SSF5508
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 170 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 55 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 110 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Carga de compuerta (Qg): 125 nC
Tiempo de elevación (tr): 15.6 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 300 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.008 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220
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