IGBT RGTH00TS65 N-ch 50A 650V to-247

Descripción

 

RGTH00TS65 Igbt N-ch 50A 650V to-247

Número de Parte: RGTH00TS65D

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Máxima potencia disipada (Pc), W: 138

Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650

Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 30

Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 50

Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.6

Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175

Tiempo de subida (tr), typ, nS: 63

Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 106

Paquete / Cubierta: TO247