Descripción
MTP50N06V Mosfet 50A-60V To-220
Número de Parte: MTP50N06V
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 60 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 42 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de compuerta (Qg): 47 nC
Tiempo de elevación (tr): 122 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 465 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.028 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO-220
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Más Información:
https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/777546/ONSEMI/MTP50N06V.html
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