LM386 IC Dip-8 ECG823

Descripción

LM386 IC Dip-8 ECG823

• Diseñado especialmente para ser usado con baterías.
• Versiones: LM386N, LM386M, LM386MM.
• Utiliza pocos componentes externos.
• Amplio rango de voltajes de alimentación: 4v a 18v.
• Bajo consumo de corriente en reposo: 4ma.
• Ganancia en amplificación: 20 a 200.
• Auto ajuste de Bias.
• Baja distorsión: 0.2%
• Encapsulados: DIP, SOIC y MSOP.
• Ancho de banda: 300Khz.
• Canales de salida: 1. (monofónico)
• Potencia de salida: (LM386N = 1W), (LM386M = 0.73W), (LM386MM = 0.32W).
• Impedancia de entrada: 50K Ohm.
• Impedancia de salida: 8 Ohm – 32 Ohm.
• Temperatura de trabajo: (LM386 DIP = 37°C a 107°C), (LM386 SOIC = 35°C a 172°C), (LM386 MSOP = 56°C a 210°C)

ESPECIFICACIONES TECNICAS:

• 1 canal (Monofónico)
• Requiere pocos componentes externos
• Potencia continua de salida típica: 325 mW sobre una carga de 8 O Vs 6 V)
• Distorsión armónica (THD) típica: 0.2% (125 mW, 8 O), 10% 325 mW, 8 O)
• Ganancia interna de 20, pero configurable externamente entre 20 y 200
• Entradas referenciadas a GND
• Impedancia de entrada: 50 kO
• Ancho de banda: 300 kHz
• Potencia disipada por el encapsulo max: 1.25 W
• Bajo consumo de potencia en reposo: 24 mW ( Vs 6 V)
• Voltaje de alimentación: 4 V a 12V
• Cumple directivas RoHS
• Encapsulado: DIP de 8 pines
• Referencia de producto: CI LM386

 

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Más Información:

https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/1147587/ARTSCHIP/LM386.html