Descripción
IRF740 Mosfet 10A-400V To-220
Número de Parte: IRF740
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 400 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de compuerta (Qg): 63(max) nC
Tiempo de elevación (tr): 27 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 330 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.55 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220AB
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Más Información:
https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/22400/STMICROELECTRONICS/IRF740.html
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